電磁屏蔽是解決電磁兼容問題的重要手段之一。大部分電磁兼容問題都可以通過電磁屏蔽來解決。用電磁屏蔽的方法來解決電磁干擾問題的*大好處是不會(huì)影響電路的正常工作，因此不需要對(duì)電路做任何修改。

1、選擇屏蔽材料

        屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量。屏蔽效能是沒有屏蔽時(shí)空間某個(gè)位置的場(chǎng)強(qiáng)E1與有屏蔽時(shí)該位置的場(chǎng)強(qiáng)E2的比值，它表征了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來的百分之一至百萬分之一，因此通常用分貝來表述屏蔽效能，這時(shí)屏蔽效能的定義公式為SE=20lg ( E1/ E2 ) (dB)

        用這個(gè)定義式只能測(cè)試屏蔽材料的屏蔽效能，而無法確定應(yīng)該使用什么材料做屏蔽體。要確定使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數(shù)有關(guān)。工程中實(shí)用的表征材料屏蔽效能的公式為：SE=A+R (dB)，式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗，是電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)發(fā)生的，計(jì)算公式為：A=3.34t(fμrσr) (dB)， t=材料的厚度，μr=材料的磁導(dǎo)率，σr=材料的電導(dǎo)率，對(duì)于特定的材料，這些都是已知的。f=被屏蔽電磁波的頻率。

          式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗，是當(dāng)電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)發(fā)生的，計(jì)算公式為：R=20lg(ZW/ZS)(dB)，式中，Zw=電磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。

         電磁波的波阻抗定義為電場(chǎng)分量與磁場(chǎng)分量的比值：Zw=E / H。在距離輻射源較近（λ/2π，稱為遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)）時(shí)，波波阻抗僅與電場(chǎng)波傳播介質(zhì)有關(guān)，其數(shù)值等于介質(zhì)的特性阻抗，空氣為377Ω。

         屏蔽材料的阻抗計(jì)算方法為：|ZS|=3.68×10-7(fμr/σr) (Ω)，f=入射電磁波的頻率(Hz)，μr=相對(duì)磁導(dǎo)率，σr=相對(duì)電導(dǎo)率。

從上面幾個(gè)公式，就可以計(jì)算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了，為了方便設(shè)計(jì)，下面給出一些定性的結(jié)論。

●在近場(chǎng)區(qū)設(shè)計(jì)屏蔽時(shí)，要分別考慮電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波的情況;

●屏蔽電場(chǎng)波時(shí)，使用導(dǎo)電性好的材料，屏蔽磁場(chǎng)波時(shí)，使用導(dǎo)磁性好的材料;

●同一種屏蔽材料，對(duì)于不同的電磁波，屏蔽效能使不同的，對(duì)電場(chǎng)波的屏蔽效能*高，對(duì)磁場(chǎng)波的屏蔽效能*低，也就是說，電場(chǎng)波*容易屏蔽，磁場(chǎng)波*難屏蔽;

●一般情況下，材料的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性越好，屏蔽效能越高;

●屏蔽電場(chǎng)波時(shí)，屏蔽體盡量靠近輻射源，屏蔽磁場(chǎng)源時(shí)，屏蔽體盡量遠(yuǎn)離磁場(chǎng)源;

        有一種情況需要特別注意，這就是1kHz以下的磁場(chǎng)波。這種磁場(chǎng)波一般由大電流輻射源產(chǎn)生，例如，傳輸大電流的電力線，大功率的變壓器等。對(duì)于這種頻率很低的磁場(chǎng)，只能采用高導(dǎo)磁率的材料進(jìn)行屏蔽，常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金。

2、孔洞和縫隙的電磁泄漏與對(duì)策

        一般除了低頻磁場(chǎng)外，大部分金屬材料可以提供100dB以上的屏蔽效能。但在實(shí)際中，常見的情況是金屬做成的屏蔽體，并沒有這么高的屏蔽效能，甚至幾乎沒有屏蔽效能。甚至幾乎沒有屏蔽效能。這是因?yàn)樵S多設(shè)計(jì)人員沒有了解電磁屏蔽的關(guān)鍵。

          首先，需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒有關(guān)系。這與靜電場(chǎng)的屏蔽不同，在靜電中，只要將屏蔽體接地，就能夠有效地屏蔽靜電場(chǎng)。而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無關(guān)，這是必須明確的。

          電磁屏蔽的關(guān)鍵點(diǎn)有兩個(gè)，一個(gè)是保證屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性，即整個(gè)屏蔽體必須是一個(gè)完整的、連續(xù)的導(dǎo)電體。另一點(diǎn)是不能有穿過機(jī)箱的導(dǎo)體。對(duì)于一個(gè)實(shí)際的機(jī)箱，這兩點(diǎn)實(shí)現(xiàn)起來都非常困難。

          首先，一個(gè)實(shí)用的機(jī)箱上會(huì)有很多孔洞和孔縫：通風(fēng)口、顯示口、安裝各種調(diào)節(jié)桿的開口、不同部分結(jié)合的縫隙等。屏蔽設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容就是如何妥善處理這些孔縫，同時(shí)不會(huì)影響機(jī)箱的其他性能(美觀、可維性、可靠性)。

          其次，機(jī)箱上總是會(huì)有電纜穿出（入），至少會(huì)有一條電源電纜。這些電纜會(huì)極大地危害屏蔽體，使屏蔽體的屏蔽效能降低數(shù)十分貝。妥善處理這些電纜是屏蔽設(shè)計(jì)中的重要內(nèi)容之一（穿過屏蔽體的導(dǎo)體的危害有時(shí)比孔縫的危害更大）。

          當(dāng)電磁波入射到一個(gè)孔洞時(shí)，其作用相當(dāng)于一個(gè)偶極天線（圖1），當(dāng)孔洞的長(zhǎng)度達(dá)到λ/2時(shí)，其輻射效率*高（與孔洞的寬度無關(guān)），也就是說，它可以將激勵(lì)孔洞的全部能量輻射出去。

          對(duì)于一個(gè)厚度為0材料上的孔洞，在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)中，*壞情況下（造成*大泄漏的極化方向）的屏蔽效能（實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì)更大一些）計(jì)算公式為：SE=100-20lgL - 20lg f + 20lg [1 + 2.3lg(L/H)] (dB)，若 L ≥λ/2，SE=0 (dB)，式中各量：L=縫隙的長(zhǎng)度（mm），H=縫隙的寬度（mm），f=入射電磁波的頻率（MHz)。

          在近場(chǎng)區(qū)，孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān)。當(dāng)輻射源是電場(chǎng)源時(shí)，孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場(chǎng)時(shí)?。ㄆ帘涡芨撸?，而當(dāng)輻射源是磁場(chǎng)源時(shí)，孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場(chǎng)時(shí)要大（屏蔽效能低）。若ZC>(7。9/D?f)：SE=48+20lg ZC-20lgL f+ 20lg [1+2.3lg (L/H) ]。